| 標題: | 電阻式記憶體陣列內新式可靠性效應與物理機制、統計分析量測及三度空間可靠性模擬 New Failure Modes, Statistical Characterization and 3D Reliability Physics Simulation in RRAM Array |
| 作者: | 汪大暉 WANG TAHUI 國立交通大學電子工程學系及電子研究所 |
| 公開日期: | 2015 |
| 官方說明文件#: | MOST104-2221-E009-053-MY3 |
| URI: | http://hdl.handle.net/11536/129845 https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=11580182&docId=471079 |
| 顯示於類別： | 研究計畫 |
