以離子植入技術改善鍺超淺接面與超低接觸阻抗( II )

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DC 欄位	值	語言
dc.date.accessioned	2016-03-28T08:17:32Z	-
dc.date.available	2016-03-28T08:17:32Z	-
dc.date.issued	2015	en_US
dc.identifier.govdoc	MOST104-2622-E009-008-CC2	zh_TW
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/11536/130127	-
dc.identifier.uri	https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=11606547&docId=474534	en_US
dc.description.sponsorship	科技部	zh_TW
dc.language.iso	zh_TW	en_US
dc.title	以離子植入技術改善鍺超淺接面與超低接觸阻抗( II )	zh_TW
dc.title	Improving Ge-Based Shallow Junctions and Low Resistance Contact by Ion Implantation Technology( II )	en_US
dc.type	Plan	en_US
dc.contributor.department	國立交通大學電子工程學系及電子研究所	zh_TW
顯示於類別：	研究計畫