雙加熱MOCVD系統開發長波長氮化物發光二極體磊晶技術( III )

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DC 欄位	值	語言
dc.contributor.author	陳衛國	zh_TW
dc.contributor.author	CHEN WEI-KUO	en_US
dc.date.accessioned	2016-03-28T08:17:33Z	-
dc.date.available	2016-03-28T08:17:33Z	-
dc.date.issued	2015	en_US
dc.identifier.govdoc	MOST104-2622-E009-001-CC2	zh_TW
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/11536/130164	-
dc.identifier.uri	https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=11481161&docId=463681	en_US
dc.description.sponsorship	科技部	zh_TW
dc.language.iso	zh_TW	en_US
dc.title	雙加熱MOCVD系統開發長波長氮化物發光二極體磊晶技術( III )	zh_TW
dc.title	Development of Advanced Epitaxial Techniques for Long-Wavelength Nitride-Based Light Emitting Devices by Two-Heator MOCVD Reactor( III )	en_US
dc.type	Plan	en_US
dc.contributor.department	國立交通大學電子物理學系（所）	zh_TW
顯示於類別：	研究計畫