大尺度二維層狀材料二硫化鉬之成長製備、自旋及能谷物理與積體電路開發-大尺度二維層狀材料二硫化鉬之成長與電子結構之研究

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DC 欄位	值	語言
dc.contributor.author	張文豪	zh_TW
dc.contributor.author	CHANG WEN HAO	en_US
dc.date.accessioned	2016-03-28T08:17:42Z	-
dc.date.available	2016-03-28T08:17:42Z	-
dc.date.issued	2015	en_US
dc.identifier.govdoc	NSC102-2119-M009-002-MY3	zh_TW
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/11536/130342	-
dc.identifier.uri	https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=11263768&docId=453230	en_US
dc.description.sponsorship	科技部	zh_TW
dc.language.iso	zh_TW	en_US
dc.title	大尺度二維層狀材料二硫化鉬之成長製備、自旋及能谷物理與積體電路開發-大尺度二維層狀材料二硫化鉬之成長與電子結構之研究	zh_TW
dc.title	Large-Area Synthesis and Electronic Structures of Mos2 Layers	en_US
dc.type	Plan	en_US
dc.contributor.department	國立交通大學電子物理學系（所）	zh_TW
顯示於類別：	研究計畫