下世代單一電晶體動態隨機存取記憶體

標題:	下世代單一電晶體動態隨機存取記憶體 Next Generation One-Transistor DRAM
作者:	國立交通大學電子工程學系及電子研究所
公開日期:	2016
官方說明文件#:	MOST103-2221-E009-178-MY3
URI:	http://hdl.handle.net/11536/130622 https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=8349447&docId=444796
顯示於類別：	研究計畫