完整後設資料紀錄
| DC 欄位 | 值 | 語言 |
|---|---|---|
| dc.date.accessioned | 2016-03-29T00:01:02Z | - |
| dc.date.available | 2016-03-29T00:01:02Z | - |
| dc.date.issued | 2016 | en_US |
| dc.identifier.govdoc | MOST103-2221-E009-222-MY3 | zh_TW |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/11536/130686 | - |
| dc.identifier.uri | https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=8348094&docId=444352 | en_US |
| dc.description.sponsorship | 科技部 | zh_TW |
| dc.language.iso | zh_TW | en_US |
| dc.title | 非揮發性記憶體元件之電子傳輸動態行為研究 | zh_TW |
| dc.title | Investigation on the Dynamic Behaviors of Electron Transport Properties for Non-Volatile Memory Devices | en_US |
| dc.type | Plan | en_US |
| dc.contributor.department | 國立交通大學材料科學與工程學系（所） | zh_TW |
| 顯示於類別： | 研究計畫 | |
