關鍵新穎技術大氣電漿沉積高品質薄膜鎵鋅氧化物開發及其高可靠度平面顯 示器薄膜電晶體之製作(II)

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DC 欄位	值	語言
dc.contributor.author	張國明	zh_TW
dc.date.accessioned	2016-12-20T03:56:53Z	-
dc.date.available	2016-12-20T03:56:53Z	-
dc.date.issued	2016	en_US
dc.identifier.govdoc	MOST105-2221-E009-150	zh_TW
dc.identifier.uri	https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=11903922&docId=492321	en_US
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/11536/131972	-
dc.description.abstract		zh_TW
dc.description.abstract		en_US
dc.description.sponsorship	科技部	zh_TW
dc.language.iso	zh_TW	en_US
dc.subject		zh_TW
dc.subject		en_US
dc.title	關鍵新穎技術大氣電漿沉積高品質薄膜鎵鋅氧化物開發及其高可靠度平面顯示器薄膜電晶體之製作(II)	zh_TW
dc.title	Developement of High Quality Gzo Thin Films Deposited by Novel Appecvd System and Fabrication of High-Reliability Gzo Tft(Ii)(Iii)	en_US
dc.type	Plan	en_US
dc.contributor.department	國立交通大學電子工程學系及電子研究所	zh_TW
顯示於類別：	研究計畫