電子與二氧化矽及氧化鎂的交互作用

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DC 欄位	值	語言
dc.contributor.author	桂正楣	zh_TW
dc.date.accessioned	2016-12-20T03:57:05Z	-
dc.date.available	2016-12-20T03:57:05Z	-
dc.date.issued	1993	en_US
dc.identifier.govdoc	NSC82-0208-M009-013	zh_TW
dc.identifier.uri	https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=4420&docId=405	en_US
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/11536/132145	-
dc.description.abstract	在介質內的電子對外界探測所造成的反應,通常可分成價電子的貢獻和內層電子的貢獻.而價電子的貢獻可由介電理論來描述.由「無規相位近似」(RPA)所得的Linhard介電理論,可非常成功地來描述簡單金屬中價電子的非彈性作用.加上修正,RPA理論已被使用在其他金屬和一些有簡單能帶的半導體上.對於過渡金屬,絕緣體和其他半導體,能帶躍遷所造成的激發能譜中寬大分佈損失高�,使用問題複雜化.電漿激元的激發和能帶躍遷,與光學介電函數及能量損失函數有極密切的關聯.雖然詳細的介電函數需要有正確的能帶結構,但是延伸的Drude介電函數已非常成功地使用在 III-V半導體上.	zh_TW
dc.description.abstract		en_US
dc.description.sponsorship	行政院國家科學委員會	zh_TW
dc.language.iso	zh_TW	en_US
dc.subject	能帶躍遷	zh_TW
dc.subject	能量損失函數	zh_TW
dc.subject	非彈性平均自由徑	zh_TW
dc.subject	非彈性散射函數	zh_TW
dc.subject	阻擋能力	zh_TW
dc.subject	Interband transition	en_US
dc.subject	Energy loss function	en_US
dc.subject	Inelastic mean free path	en_US
dc.subject	Inelastic scattering function	en_US
dc.subject	Stopping power	en_US
dc.title	電子與二氧化矽及氧化鎂的交互作用	zh_TW
dc.title	Electron Interactions with SiO/sub 2/ and MgO	en_US
dc.type	Plan	en_US
dc.contributor.department	交通大學電子研究所	zh_TW
顯示於類別：	研究計畫