高功率積體電路用矽晶片直接黏合技術(II)

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DC 欄位	值	語言
dc.contributor.author	葉清發	zh_TW
dc.date.accessioned	2016-12-20T03:57:07Z	-
dc.date.available	2016-12-20T03:57:07Z	-
dc.date.issued	1993	en_US
dc.identifier.govdoc	NSC82-0404-E009-238	zh_TW
dc.identifier.uri	https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=59407&docId=8719	en_US
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/11536/132185	-
dc.description.abstract	�研究計畫名稱:高功率積體電路用矽晶片直接黏合技術(□)�研究背景:矽晶片直接黏合技術"SDB"(Silicon-wafer Direct Bonding), 由於兩片矽晶片都具有本體矽(Bulk)的優良特性可提供高品質SOI,取代DI(Dielectric Isolation)的磊晶技術,最適合應用到高功率積體電路power IC,美日先進國家已漸由研究邁進實用的階段,是非常有潛力的技術.�目的:ぇ研究SDB技術取代傳統SOI形成技術,發展高品質 SOI.え採用SDB技術,試作多種高低濃度的PN Junction研究其界面特性.ぉ利用SDB技術,開發各種應用,提升SDB技術在工業的應用價值.�實施方法:ぇ製作SOI電容體,藉以評測SOI Oxide的電特性,確立 SiO/sub2/-to-SiO/sub 2/之黏合技術.え製作PN Junction,直接評測C-V, I-V特性,確立Si-to-Si 之黏合技術.ぉ探討SDB技術�,Auto-doping最佳條件,掌握擴散濃度,溫度,時間和擴散深度的關係.�有效利用Auto-doping將PN Junction接面離開Bonding Interface,製作PN元件,評測C-V, I-V特性.�利用熱影像系統評測晶片黏合品質.�預期成果:ぇ配合高功率積體電路的開發,提供高品質SOI製作技術.え提供多樣組合的SDB晶片,取代傳統的磊晶層技術.ぉ建立薄膜化技術,完成功能元件所需之SOI本體矽薄膜化.	zh_TW
dc.description.abstract		en_US
dc.description.sponsorship	行政院國家科學委員會	zh_TW
dc.language.iso	zh_TW	en_US
dc.subject	高功率積體電路	zh_TW
dc.subject	PN接合	zh_TW
dc.subject	黏合技術	zh_TW
dc.subject	矽晶片	zh_TW
dc.subject	Power IC	en_US
dc.subject	PN junction	en_US
dc.subject	Bonding technology	en_US
dc.subject	Silicon wafer	en_US
dc.title	高功率積體電路用矽晶片直接黏合技術(II)	zh_TW
dc.title	Si-Wafer Directly Bonding Technology for Power Integrated Circuit Application(II)	en_US
dc.type	Plan	en_US
dc.contributor.department	交通大學電子研究所	zh_TW
顯示於類別：	研究計畫