快速與光電元件及毫微米結構之特性與可靠性研究

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DC 欄位	值	語言
dc.contributor.author	施敏	zh_TW
dc.date.accessioned	2016-12-20T03:57:08Z	-
dc.date.available	2016-12-20T03:57:08Z	-
dc.date.issued	1993	en_US
dc.identifier.govdoc	NSC82-0404-E009-239	zh_TW
dc.identifier.uri	https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=59717&docId=8758	en_US
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/11536/132198	-
dc.description.abstract	由於本研究�已成功地成長出高品質的GaInP/ GaAs磊晶層,對於AlGaInP/GaAs的異質結構亦有深入的了解,另外,也研製出閘極長度為1um的HEMT結構及 GaAs/GaInP的DH雷射二極體,且得到相當不錯的特性.因此,本計畫將持續以前的研究工作,將對各種高速及光電元件(如HEMT, HBT, 和LD)探討其可靠性的問題,同時配合電腦模擬計算以期能改善元件的各種操作特性,如功率輸出大小,雜訊,及溫度效應等性質.同時也將利用有機金屬化學汽相磊晶技術( MOCVD),電子束微影技術(Electron Beam Lithography)及活性離子蝕刻技術(RIE)來研究量子效應(Quantum Effects )結構,並探討在次微米製程上遭遇到的各種問題. 本計畫主題包含下列五項:ぇ:選擇性區域磊晶成長(Selective Area Growth).え:活性離子蝕刻技術及傳統溶液蝕刻技術(Wet Etching)對次微米結構之影響.ぉ:量子效應結構之研究及相關效應之測量;包括: 量子線(Quantum Wire),量子盒(Quantum Box),及量子井線( Quantum Well Wire).�:超小面積之歐姆接觸及其在量子效應元件之應用.	zh_TW
dc.description.abstract		en_US
dc.description.sponsorship	行政院國家科學委員會	zh_TW
dc.language.iso	zh_TW	en_US
dc.subject	高電子遷移率電晶體	zh_TW
dc.subject	異質接面電晶體	zh_TW
dc.subject	雷射二極體	zh_TW
dc.subject	可靠性	zh_TW
dc.subject	量子效應	zh_TW
dc.subject	HEMT	en_US
dc.subject	HBT	en_US
dc.subject	Laser diode	en_US
dc.subject	Realibility	en_US
dc.subject	Quantum effect	en_US
dc.title	快速與光電元件及毫微米結構之特性與可靠性研究	zh_TW
dc.title	Characterization and Reliability of High-speed, Optoelectronic and Nano Structure	en_US
dc.type	Plan	en_US
dc.contributor.department	交通大學電子研究所	zh_TW
顯示於類別：	研究計畫