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dc.contributor.author陳明哲 zh_TW
dc.date.accessioned2016-12-20T03:57:09Z-
dc.date.available2016-12-20T03:57:09Z-
dc.date.issued1993en_US
dc.identifier.govdocNSC82-0404-E009-379 zh_TW
dc.identifier.urihttps://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=68955&docId=10223en_US
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11536/132223-
dc.description.abstract本計畫針對混合式積體電路實現過程當中 二種關鍵性技術作一深入的應用研究:(1)高電 流增益側向雙載子電晶體;及(2)高精確度類比 金氧半開關.高電流增益側向雙載子電晶體完 全建立於次微米金氧半電晶體之結構上,我們 運用量測儀器及元件模擬軟體評估預測其性能 包括穩態□時域及頻域之特性等,以建立低成 本□製作容易並與現階段0.8微米互補式金氧半 技術相容的雙載子互補式金氧半製程.進而我 們運用此技術來設計並製造測試應用電路,同 時我們亦轉移在鎖住及其防制上之經驗,於此 應用電路上增加其對鎖住和誤動作等之抗拒能 力.在一混合式積體電路中,連結類比和數位的介面以類比金氧半開關來執行,此電路缺點在 從取樣至保存的過程裡因電荷注入效應引致保 存電壓變動進而轉換失真,特別在高速取樣益 形嚴重,因之有必要重新校正或改良.我們有感 於欲同時保有高速取樣,且高精確度之此種電 路,其真正癥結在相關元件物理□動作機制之 深入了解並其應用,故我們從根本做起以迄實 際電路設計□製造□測試評估以滿足混合式積 體電路所嚴格需求者. zh_TW
dc.description.abstract en_US
dc.description.sponsorship行政院國家科學委員會 zh_TW
dc.language.isozh_TWen_US
dc.subject側向雙載子電晶體zh_TW
dc.subject類比金氧半開關zh_TW
dc.subject混合式積體電路 zh_TW
dc.subjectLateral bipolar transistoren_US
dc.subjectAnalog MOS switchen_US
dc.subjectMixed-mode IC en_US
dc.title混合式積體電路中高增益側向雙載子電晶體及高精確類比金氧半開關之應用研究zh_TW
dc.titleHigh-gain Lateral Bipolar Transistor and High-precision Analog MOS Switch in Mixed-mode ICen_US
dc.typePlanen_US
dc.contributor.department交通大學電子研究所 zh_TW
顯示於類別：研究計畫


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