標題: 三維電阻抗斷層攝影方法
作者: 蔡 德明
公開日期: 1-十二月-2016
摘要: 本發明系揭露一種三維電阻抗斷層攝影方法,三維電阻抗斷層攝影方法包含在待測物中設置一植入本體,植入本體上設置有複數個電極形成之電極陣列;設置一電極控制器以控制電極陣列中任一電極;藉由結合電流操控技術或虛擬電極技術,以產生更多獨立的複數個在同一曲面上之複數個電極上所量測到的阻抗資料;以及進行一演算,以將複數個水平或垂直阻抗資料轉換形成一三維電阻抗斷層攝影影像。
官方說明文件#: A61B005/053
URI: http://hdl.handle.net/11536/132328
專利國: TWN
專利號碼: 201641076
顯示於類別:專利資料


文件中的檔案:

  1. 201641076.pdf

若為 zip 檔案,請下載檔案解壓縮後,用瀏覽器開啟資料夾中的 index.html 瀏覽全文。