統計資料
總造訪次數
| 檢視 | |
|---|---|
| Optimal Floating Gate Potential for Extending Data Retention of Post-Baking Method in Sub-20 nm Triple Level per Cell NAND Flash Memory | 6 |
本月總瀏覽
| 六月 2025 | 七月 2025 | 八月 2025 | 九月 2025 | 十月 2025 | 十一月 2025 | 十二月 2025 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Optimal Floating Gate Potential for Extending Data Retention of Post-Baking Method in Sub-20 nm Triple Level per Cell NAND Flash Memory | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 3 | 0 |
檔案下載
| 檢視 |
|---|
國家瀏覽排行
| 檢視 | |
|---|---|
| 美國 | 2 |
| 巴西 | 1 |
| 蒙古 | 1 |
縣市瀏覽排行
| 檢視 | |
|---|---|
| Buffalo | 2 |
| Ulaanbaatar | 1 |