統計資料
總造訪次數
| 檢視 | |
|---|---|
| Poly-Silicon Trap Position and Pass Voltage Effects on RTN Amplitude in a Vertical NAND Flash Cell String | 9 |
本月總瀏覽
| 九月 2025 | 十月 2025 | 十一月 2025 | 十二月 2025 | 一月 2026 | 二月 2026 | 三月 2026 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Poly-Silicon Trap Position and Pass Voltage Effects on RTN Amplitude in a Vertical NAND Flash Cell String | 0 | 0 | 0 | 0 | 1 | 2 | 2 |
檔案下載
| 檢視 |
|---|
國家瀏覽排行
| 檢視 | |
|---|---|
| 澳大利亞 | 2 |
| 日本 | 2 |
| 美國 | 2 |
| 中國 | 1 |
| 印度 | 1 |
縣市瀏覽排行
| 檢視 | |
|---|---|
| Buffalo | 1 |
| Mishawaka | 1 |
| Mumbai | 1 |
| Shanghai | 1 |