統計資料
總造訪次數
| 檢視 | |
|---|---|
| Effects of base oxide thickness and silicon composition on charge trapping in HfSiO/SiO(2) high-k gate stacks | 117 |
本月總瀏覽
| 五月 2024 | 六月 2024 | 七月 2024 | 八月 2024 | 九月 2024 | 十月 2024 | 十一月 2024 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Effects of base oxide thickness and silicon composition on charge trapping in HfSiO/SiO(2) high-k gate stacks | 0 | 0 | 0 | 1 | 0 | 0 | 0 |
檔案下載
| 檢視 |
|---|
國家瀏覽排行
| 檢視 | |
|---|---|
| 中國 | 97 |
| 美國 | 18 |
縣市瀏覽排行
| 檢視 | |
|---|---|
| Shenzhen | 97 |
| Menlo Park | 9 |
| Kensington | 7 |
| Edmond | 2 |