統計資料
總造訪次數
| 檢視 | |
|---|---|
| Enhancement-mode AlGaN/GaN MIS-HEMTs with Low Threshold Voltage Hysteresis Using Damage-free Neutral Beam Etched Gate Recess | 15 |
本月總瀏覽
| 七月 2025 | 八月 2025 | 九月 2025 | 十月 2025 | 十一月 2025 | 十二月 2025 | 一月 2026 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Enhancement-mode AlGaN/GaN MIS-HEMTs with Low Threshold Voltage Hysteresis Using Damage-free Neutral Beam Etched Gate Recess | 0 | 0 | 0 | 1 | 1 | 2 | 2 |
檔案下載
| 檢視 |
|---|
國家瀏覽排行
| 檢視 | |
|---|---|
| 美國 | 8 |
| 阿根廷 | 1 |
| 巴西 | 1 |
| 愛爾蘭 | 1 |
| 俄羅斯聯邦 | 1 |
縣市瀏覽排行
| 檢視 | |
|---|---|
| Menlo Park | 5 |
| Buenos Aires | 1 |
| Buffalo | 1 |
| Fairfield | 1 |