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| 以氧化鑭/二氧化矽堆疊式氧化層作為高功率增強型氮化鎵金屬-絕緣體-半導體高電子遷移率電晶體的閘極介電層之研究 | 6 |
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| 以氧化鑭/二氧化矽堆疊式氧化層作為高功率增強型氮化鎵金屬-絕緣體-半導體高電子遷移率電晶體的閘極介電層之研究 | 1 | 4 |
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