統計資料
總造訪次數
| 檢視 | |
|---|---|
| 以氧化鑭/二氧化矽堆疊式氧化層作為高功率增強型氮化鎵金屬-絕緣體-半導體高電子遷移率電晶體的閘極介電層之研究 | 6 |
本月總瀏覽
| 八月 2025 | 九月 2025 | 十月 2025 | 十一月 2025 | 十二月 2025 | 一月 2026 | 二月 2026 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 以氧化鑭/二氧化矽堆疊式氧化層作為高功率增強型氮化鎵金屬-絕緣體-半導體高電子遷移率電晶體的閘極介電層之研究 | 0 | 0 | 1 | 0 | 0 | 4 | 0 |
檔案下載
| 檢視 |
|---|
國家瀏覽排行
| 檢視 | |
|---|---|
| 中國 | 3 |
| 加拿大 | 1 |
縣市瀏覽排行
| 檢視 | |
|---|---|
| Shanghai | 3 |
| Ottawa | 1 |