應用平衡態密度泛函理論計算的電荷密度改善非平衡態密度泛函理論計算電子散射系統的收斂速度

Abstract

本論文使用第一原理方法計算分子接面下的電子傳輸性質。改變過去的運算方法，多加考慮中間材料的初始電荷密度，來提升計算效率。藉由密度泛含理論計算，獲得平衡態系統下最穩定幾何結構以及所對應的電荷密度。再藉由Lippmann-Schwinger equation計算，探討非平衡態下電子性質。在不同偏壓下，電流與電導會有劇烈的變化。這變化主要是由於中間分子的物理特性(態密度(Density of states)、局域態密度(Local density of states)，和電荷密度(Charge density))和不同電場下的極化行為互相競爭與合作。進而瞭解在對稱性破壞下的環境中，中間分子的電子傳輸性質。

The quantum transport in an atomic-scale junction under the ballistic quantum transport regime has been studied using first-principles approaches. We can improve efficiency by change self-consistently flow. In this work, we report DFT calculations for density of states in equilibrium state system. And we report Lippmann-Schwinger equation calculations for density of states in non-equilibrium state system. We find the I-V characteristics by modulating the source – drain biases.