利用tSMC 0.35μm製程設計背閘極酸鹼離子感測場效電晶體

標題:	利用tSMC 0.35μm製程設計背閘極酸鹼離子感測場效電晶體 Using tSMC 0.35μm Process to Design Back Side Gate Field Effect Transistors for pH
作者:	范書源陳宗麟 Fan,Sue-Yuan Chen,Tsung-Lin 工學院精密與自動化工程學程
關鍵字:	離子感測場效電晶體;CMOS-MEMS;TCAD;tSMC 0.35μm process;ISFET;CMOS-MEMS;TCAD;tSMC 0.35μm process 2p4m
公開日期:	2015
URI:	http://etd.lib.nctu.edu.tw/cdrfb3/record/nctu/#GT070161103 http://hdl.handle.net/11536/143325
顯示於類別：	畢業論文