統計資料
總造訪次數
| 檢視 | |
|---|---|
| 利用三閘極結構改善高功率鋁氮化鎵/氮化鎵高電子遷移率電晶體元件特性研究 | 3 |
本月總瀏覽
| 五月 2024 | 六月 2024 | 七月 2024 | 八月 2024 | 九月 2024 | 十月 2024 | 十一月 2024 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 利用三閘極結構改善高功率鋁氮化鎵/氮化鎵高電子遷移率電晶體元件特性研究 | 0 | 1 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 |
檔案下載
| 檢視 |
|---|
國家瀏覽排行
| 檢視 | |
|---|---|
| 俄羅斯聯邦 | 1 |
縣市瀏覽排行
| 檢視 |
|---|
| 檢視 | |
|---|---|
| 利用三閘極結構改善高功率鋁氮化鎵/氮化鎵高電子遷移率電晶體元件特性研究 | 3 |
| 五月 2024 | 六月 2024 | 七月 2024 | 八月 2024 | 九月 2024 | 十月 2024 | 十一月 2024 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 利用三閘極結構改善高功率鋁氮化鎵/氮化鎵高電子遷移率電晶體元件特性研究 | 0 | 1 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 |
| 檢視 |
|---|
| 檢視 | |
|---|---|
| 俄羅斯聯邦 | 1 |
| 檢視 |
|---|