統計資料

總造訪次數

檢視
Effects of N/Ga flux ratio on GaN films grown on 4H-SiC substrate with 4 degrees miscutting orientation by plasma-assisted molecular beam epitaxy 1

本月總瀏覽

六月 2024 七月 2024 八月 2024 九月 2024 十月 2024 十一月 2024 十二月 2024
Effects of N/Ga flux ratio on GaN films grown on 4H-SiC substrate with 4 degrees miscutting orientation by plasma-assisted molecular beam epitaxy 0 0 0 0 0 0 1

檔案下載

檢視

國家瀏覽排行

檢視
阿根廷 1

縣市瀏覽排行

檢視
Federal 1