統計資料
總造訪次數
| 檢視 | |
|---|---|
| InAs-based heterostructure field-effect transistor using AlAs0.16Sb0.84 double barriers | 4 |
本月總瀏覽
| 六月 2025 | 七月 2025 | 八月 2025 | 九月 2025 | 十月 2025 | 十一月 2025 | 十二月 2025 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| InAs-based heterostructure field-effect transistor using AlAs0.16Sb0.84 double barriers | 0 | 0 | 0 | 0 | 1 | 0 | 1 |
檔案下載
| 檢視 |
|---|
國家瀏覽排行
| 檢視 | |
|---|---|
| 澳大利亞 | 1 |
| 巴西 | 1 |
| 蒙古 | 1 |
縣市瀏覽排行
| 檢視 | |
|---|---|
| Ulaanbaatar | 1 |