統計資料

總造訪次數

檢視
Electron Emission Properties of Nitrogen-Induced Localized Defects in InAsN/GaAs Quantum Dots 112

本月總瀏覽

八月 2025 九月 2025 十月 2025 十一月 2025 十二月 2025 一月 2026 二月 2026
Electron Emission Properties of Nitrogen-Induced Localized Defects in InAsN/GaAs Quantum Dots 0 0 3 0 2 2 0

檔案下載

檢視
000297697500011.pdf 6

國家瀏覽排行

檢視
中國 96
美國 8
台灣 2
越南 2
巴西 1
法國 1
印尼 1

縣市瀏覽排行

檢視
Shenzhen 96
Menlo Park 3
Hanoi 2
Taipei 2
Wilmington 2
Buffalo 1
Edmond 1