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| Characteristics of nonalloyed pseudomorphic high electron mobility transistors using InAs/InxGa1-xAs (x=-> 0) AlyGa1-yAs (y=0 -> 0.3) contact structures | 4 |
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| Characteristics of nonalloyed pseudomorphic high electron mobility transistors using InAs/InxGa1-xAs (x=-> 0) AlyGa1-yAs (y=0 -> 0.3) contact structures | 0 | 0 | 0 | 0 | 1 | 0 | 0 |
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