介電質熔絲型記憶電路及其操作方法

Abstract

本發明提出一種可一次性寫入並重複隨機讀取的積體電路記憶體，此記憶體係利用介電質熔絲的方式，作為儲存元件的寫入操作，其主要特徵為，施加一電場於介電質使得其內之離子被析出或介電質熔毀，造成介電質結構損壞，呈穿孔狀，經由介電質穿隧的電流將由寫入前的高電導(低電阻)態轉變為低電導(高電阻)態，此機制已整合於超大型積體電路中完成積體電路記憶體之驗證，並利用CMOS製程實現之。