標題: | 半導體裝置結構 |
作者: | 莊紹勳 謝易叡 林宜憲 |
公開日期: | 1-八月-2017 |
摘要: | 本揭露提供半導體裝置結構及其形成方法。半導體裝置結構包括源極結構,至少位於半導體基底內。半導體裝置結構也包括通道結構,位於半導體基底上。源極結構被通道結構局部地覆蓋。半導體裝置結構還包括汲極結構,覆蓋通道結構。汲極結構及源極結構具有不同的導電類型。通道結構的一部分夾設於源極結構與汲極結構之間。再者,半導體裝置結構包括閘極堆疊,局部地覆蓋通道結構。 |
官方說明文件#: | H01L029/40 H01L029/66 |
URI: | http://hdl.handle.net/11536/151388 |
專利國: | TWN |
專利號碼: | 201727896 |
顯示於類別: | 專利資料 |