標題: 半導體裝置結構
作者: 莊紹勳
謝易叡
林宜憲
公開日期: 1-八月-2017
摘要: 本揭露提供半導體裝置結構及其形成方法。半導體裝置結構包括源極結構,至少位於半導體基底內。半導體裝置結構也包括通道結構,位於半導體基底上。源極結構被通道結構局部地覆蓋。半導體裝置結構還包括汲極結構,覆蓋通道結構。汲極結構及源極結構具有不同的導電類型。通道結構的一部分夾設於源極結構與汲極結構之間。再者,半導體裝置結構包括閘極堆疊,局部地覆蓋通道結構。
官方說明文件#: H01L029/40
H01L029/66
URI: http://hdl.handle.net/11536/151388
專利國: TWN
專利號碼: 201727896
顯示於類別:專利資料


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