完整後設資料紀錄
| DC 欄位 | 值 | 語言 |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 洪瑞華 | zh_TW |
| dc.contributor.author | 陳亘延 | zh_TW |
| dc.contributor.author | 簡桓郁 | zh_TW |
| dc.date.accessioned | 2019-04-11T06:20:44Z | - |
| dc.date.available | 2019-04-11T06:20:44Z | - |
| dc.date.issued | 2019-03-16 | en_US |
| dc.identifier.govdoc | H01L033/02 | en_US |
| dc.identifier.govdoc | H01L033/30 | en_US |
| dc.identifier.govdoc | H01L033/00 | en_US |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/11536/151528 | - |
| dc.description.abstract | 一種覆晶式發光二極體元件，其包括透明保護基板、透明導體層、膠黏層、III-V族堆疊層、第一導電性金屬電極、第二導電性金屬電極與絕緣層。透明導體層形成於透明保護基板之上。膠黏層用於膠黏透明保護基板與透明導體層。III-V族堆疊層形成於透明導體層的第一部分之上。第一導電性金屬電極形成於透明導體層的第二部分之上。第二導電性金屬電極形成於III-V族堆疊層的部分之上。絕緣層覆蓋透明導體層的暴露部分、III-V族堆疊層的暴露部分，且絕緣層還覆蓋第一導電性金屬電極的一部份與第二導電性金屬電極的一部份，以暴露出第一與第二導電性金屬電極。 | zh_TW |
| dc.language.iso | zh_TW | en_US |
| dc.title | 覆晶式發光二極體元件及其製造方法 | zh_TW |
| dc.type | Patents | en_US |
| dc.citation.patentcountry | TWN | en_US |
| dc.citation.patentnumber | 201911597 | en_US |
| 顯示於類別： | 專利資料 | |
