統計資料
總造訪次數
| 檢視 | |
|---|---|
| Implementation of a 900 V Switching Circuit for High Breakdown Voltage beta-Ga2O3 Schottky Diodes | 11 |
本月總瀏覽
| 八月 2025 | 九月 2025 | 十月 2025 | 十一月 2025 | 十二月 2025 | 一月 2026 | 二月 2026 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Implementation of a 900 V Switching Circuit for High Breakdown Voltage beta-Ga2O3 Schottky Diodes | 0 | 1 | 1 | 1 | 2 | 4 | 1 |
檔案下載
| 檢視 |
|---|
國家瀏覽排行
| 檢視 | |
|---|---|
| 越南 | 4 |
| 美國 | 2 |
| 阿根廷 | 1 |
| 愛爾蘭 | 1 |
| 立陶宛 | 1 |
縣市瀏覽排行
| 檢視 | |
|---|---|
| Can Tho | 1 |
| Cho Ha | 1 |
| Hanoi | 1 |
| San Jose | 1 |
| Vinh | 1 |
| Zurich | 1 |