統計資料
總造訪次數
| 檢視 | |
|---|---|
| Design Strategies for Mesa-Type GaN-Based Schottky Barrier Diodes for Obtaining High Breakdown Voltage and Low Leakage Current | 14 |
本月總瀏覽
| 八月 2025 | 九月 2025 | 十月 2025 | 十一月 2025 | 十二月 2025 | 一月 2026 | 二月 2026 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Design Strategies for Mesa-Type GaN-Based Schottky Barrier Diodes for Obtaining High Breakdown Voltage and Low Leakage Current | 0 | 1 | 2 | 2 | 0 | 3 | 0 |
檔案下載
| 檢視 |
|---|
國家瀏覽排行
| 檢視 | |
|---|---|
| 美國 | 3 |
| 澳大利亞 | 2 |
| 加拿大 | 1 |
| 中國 | 1 |
| 香港 | 1 |
| 印度 | 1 |
| 越南 | 1 |
縣市瀏覽排行
| 檢視 | |
|---|---|
| Oakland | 3 |
| Adelaide | 1 |
| Central District | 1 |
| Hanoi | 1 |
| Ottawa | 1 |
| Shenzhen | 1 |
| Sydney | 1 |