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| Evidence for the Fourfold-Valley Confinement Electron Piezo-Effective-Mass Coefficient in Inversion Layers of < 110 > Uniaxial-Tensile-Strained (001) nMOSFETs | 110 |
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| Evidence for the Fourfold-Valley Confinement Electron Piezo-Effective-Mass Coefficient in Inversion Layers of < 110 > Uniaxial-Tensile-Strained (001) nMOSFETs | 0 | 0 | 0 | 1 | 0 | 0 | 0 |
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