統計資料
總造訪次數
| 檢視 | |
|---|---|
| NOVEL TUNNELING DIELECTRIC PREPARED BY OXIDATION OF ULTRATHIN RUGGED POLYSILICON FOR 5-V-ONLY NONVOLATILE MEMORIES | 107 |
本月總瀏覽
| 七月 2025 | 八月 2025 | 九月 2025 | 十月 2025 | 十一月 2025 | 十二月 2025 | 一月 2026 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| NOVEL TUNNELING DIELECTRIC PREPARED BY OXIDATION OF ULTRATHIN RUGGED POLYSILICON FOR 5-V-ONLY NONVOLATILE MEMORIES | 1 | 0 | 0 | 0 | 0 | 1 | 0 |
檔案下載
| 檢視 | |
|---|---|
| A1995RA18200013.pdf | 3 |
國家瀏覽排行
| 檢視 | |
|---|---|
| 中國 | 93 |
| 美國 | 12 |
縣市瀏覽排行
| 檢視 | |
|---|---|
| Shenzhen | 93 |
| Kensington | 7 |
| Menlo Park | 5 |