統計資料
總造訪次數
| 檢視 | |
|---|---|
| Arsenic-implanted GaAs: An alternative material to low-temperature-grown GaAs for ultrafast optoelectronic applications | 114 |
本月總瀏覽
| 六月 2024 | 七月 2024 | 八月 2024 | 九月 2024 | 十月 2024 | 十一月 2024 | 十二月 2024 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Arsenic-implanted GaAs: An alternative material to low-temperature-grown GaAs for ultrafast optoelectronic applications | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 1 |
檔案下載
| 檢視 | |
|---|---|
| 000074381700020.pdf | 5 |
國家瀏覽排行
| 檢視 | |
|---|---|
| 中國 | 99 |
| 美國 | 12 |
| 德國 | 2 |
| 澳大利亞 | 1 |
縣市瀏覽排行
| 檢視 | |
|---|---|
| Shenzhen | 97 |
| Menlo Park | 7 |
| Kensington | 5 |
| Beijing | 2 |