統計資料
總造訪次數
| 檢視 | |
|---|---|
| Study of La2O3/HfO2 Gate Dielectric for n-InAs Metal-Oxide-Semiconductor Capacitor | 114 |
本月總瀏覽
| 六月 2025 | 七月 2025 | 八月 2025 | 九月 2025 | 十月 2025 | 十一月 2025 | 十二月 2025 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Study of La2O3/HfO2 Gate Dielectric for n-InAs Metal-Oxide-Semiconductor Capacitor | 0 | 0 | 0 | 0 | 1 | 1 | 0 |
檔案下載
| 檢視 | |
|---|---|
| 000309539300037.pdf | 53 |
國家瀏覽排行
| 檢視 | |
|---|---|
| 中國 | 96 |
| 美國 | 11 |
| 台灣 | 6 |
| 澳大利亞 | 1 |
縣市瀏覽排行
| 檢視 | |
|---|---|
| Shenzhen | 93 |
| Menlo Park | 6 |
| Taipei | 4 |
| Beijing | 3 |
| Kensington | 2 |
| Buffalo | 1 |
| Edmond | 1 |
| Leawood | 1 |