統計資料
總造訪次數
| 檢視 | |
|---|---|
| ELECTRICAL-PROPERTIES OF UNDOPED AND SNTE-DOPED GAXIN1-XSB MOLECULAR-BEAM-EPITAXIALLY GROWN ON GAAS | 117 |
本月總瀏覽
| 六月 2025 | 七月 2025 | 八月 2025 | 九月 2025 | 十月 2025 | 十一月 2025 | 十二月 2025 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ELECTRICAL-PROPERTIES OF UNDOPED AND SNTE-DOPED GAXIN1-XSB MOLECULAR-BEAM-EPITAXIALLY GROWN ON GAAS | 0 | 0 | 0 | 1 | 0 | 2 | 0 |
檔案下載
| 檢視 | |
|---|---|
| A1995RF65800013.pdf | 2 |
國家瀏覽排行
| 檢視 | |
|---|---|
| 中國 | 95 |
| 美國 | 16 |
| 印度 | 2 |
| 法國 | 1 |
| 愛爾蘭 | 1 |
縣市瀏覽排行
| 檢視 | |
|---|---|
| Shenzhen | 94 |
| Menlo Park | 5 |
| Kensington | 4 |
| Buffalo | 2 |
| Edmond | 2 |
| Mumbai | 2 |
| Beijing | 1 |
| Kirksville | 1 |
| Paris | 1 |
| Sacramento | 1 |