統計資料
總造訪次數
| 檢視 | |
|---|---|
| Effect of Graded AlxGa1-xN Interlayer Buffer on the Strain of GaN Grown on Si (111) Using MOCVD Method | 111 |
本月總瀏覽
| 八月 2025 | 九月 2025 | 十月 2025 | 十一月 2025 | 十二月 2025 | 一月 2026 | 二月 2026 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Effect of Graded AlxGa1-xN Interlayer Buffer on the Strain of GaN Grown on Si (111) Using MOCVD Method | 0 | 0 | 0 | 3 | 1 | 6 | 0 |
檔案下載
| 檢視 |
|---|
國家瀏覽排行
| 檢視 | |
|---|---|
| 中國 | 96 |
| 越南 | 6 |
| 美國 | 5 |
| 英國 | 1 |
縣市瀏覽排行
| 檢視 | |
|---|---|
| Shenzhen | 95 |
| Hanoi | 6 |
| Kensington | 3 |
| Beijing | 1 |
| London | 1 |
| Menlo Park | 1 |
| San Jose | 1 |