統計資料
總造訪次數
| 檢視 | |
|---|---|
| Demonstrating 1 nm-oxide-equivalent-thickness HfO2/InSb structure with unpinning Fermi level and low gate leakage current density | 124 |
本月總瀏覽
| 八月 2025 | 九月 2025 | 十月 2025 | 十一月 2025 | 十二月 2025 | 一月 2026 | 二月 2026 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Demonstrating 1 nm-oxide-equivalent-thickness HfO2/InSb structure with unpinning Fermi level and low gate leakage current density | 0 | 0 | 0 | 0 | 2 | 10 | 0 |
檔案下載
| 檢視 | |
|---|---|
| 000325488500076.pdf | 14 |
國家瀏覽排行
| 檢視 | |
|---|---|
| 中國 | 91 |
| 美國 | 20 |
| 越南 | 10 |
| 巴西 | 1 |
縣市瀏覽排行
| 檢視 | |
|---|---|
| Shenzhen | 91 |
| Kensington | 15 |
| Hanoi | 8 |
| Menlo Park | 5 |
| Ho Chi Minh City | 2 |
| Teixeira | 1 |