統計資料
總造訪次數
| 檢視 | |
|---|---|
| High Mobility Bilayer Metal-Oxide Thin Film Transistors Using Titanium-Doped InGaZnO | 117 |
本月總瀏覽
| 六月 2024 | 七月 2024 | 八月 2024 | 九月 2024 | 十月 2024 | 十一月 2024 | 十二月 2024 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| High Mobility Bilayer Metal-Oxide Thin Film Transistors Using Titanium-Doped InGaZnO | 0 | 0 | 0 | 0 | 1 | 0 | 0 |
檔案下載
| 檢視 | |
|---|---|
| 000329061300029.pdf | 95 |
國家瀏覽排行
| 檢視 | |
|---|---|
| 中國 | 97 |
| 美國 | 17 |
| 愛爾蘭 | 1 |
| 台灣 | 1 |
縣市瀏覽排行
| 檢視 | |
|---|---|
| Shenzhen | 95 |
| Menlo Park | 9 |
| Kensington | 5 |
| Fremont | 2 |
| Beijing | 1 |
| Nanning | 1 |
| Santa Clara | 1 |