統計資料
總造訪次數
| 檢視 | |
|---|---|
| Low power resistive random access memory using interface-engineered dielectric stack of SiOx/a-Si/TiOy with 1D1R-like structure | 115 |
本月總瀏覽
| 八月 2025 | 九月 2025 | 十月 2025 | 十一月 2025 | 十二月 2025 | 一月 2026 | 二月 2026 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Low power resistive random access memory using interface-engineered dielectric stack of SiOx/a-Si/TiOy with 1D1R-like structure | 0 | 0 | 1 | 0 | 0 | 1 | 0 |
檔案下載
| 檢視 | |
|---|---|
| 000328477900023.pdf | 22 |
國家瀏覽排行
| 檢視 | |
|---|---|
| 中國 | 95 |
| 美國 | 15 |
| 加拿大 | 1 |
| 越南 | 1 |
縣市瀏覽排行
| 檢視 | |
|---|---|
| Shenzhen | 94 |
| Kensington | 8 |
| Menlo Park | 7 |
| Beijing | 1 |
| Hanoi | 1 |
| Montréal | 1 |