統計資料
總造訪次數
| 檢視 | |
|---|---|
| Improved performances in low-voltage-driven InGaZnO thin film transistors using a SiO2 buffer layer insertion | 115 |
本月總瀏覽
| 六月 2025 | 七月 2025 | 八月 2025 | 九月 2025 | 十月 2025 | 十一月 2025 | 十二月 2025 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Improved performances in low-voltage-driven InGaZnO thin film transistors using a SiO2 buffer layer insertion | 0 | 1 | 0 | 0 | 0 | 5 | 0 |
檔案下載
| 檢視 | |
|---|---|
| 000336362400033.pdf | 9 |
國家瀏覽排行
| 檢視 | |
|---|---|
| China | 95 |
| United States | 13 |
| Japan | 2 |
| Lebanon | 1 |
| Russia | 1 |
縣市瀏覽排行
| 檢視 | |
|---|---|
| Shenzhen | 95 |
| Kensington | 7 |
| Menlo Park | 5 |
| Edmond | 1 |