統計資料
總造訪次數
| 檢視 | |
|---|---|
| Low Leakage Current GaN MIS-HEMT with SiNx Gate Insulator using N-2 Plasma Treatment | 116 |
本月總瀏覽
| 七月 2025 | 八月 2025 | 九月 2025 | 十月 2025 | 十一月 2025 | 十二月 2025 | 一月 2026 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Low Leakage Current GaN MIS-HEMT with SiNx Gate Insulator using N-2 Plasma Treatment | 0 | 0 | 0 | 1 | 3 | 2 | 2 |
檔案下載
| 檢視 | |
|---|---|
| 000338950500008.pdf | 30 |
國家瀏覽排行
| 檢視 | |
|---|---|
| 中國 | 96 |
| 美國 | 16 |
| 印尼 | 1 |
| 台灣 | 1 |
縣市瀏覽排行
| 檢視 | |
|---|---|
| Shenzhen | 96 |
| Menlo Park | 6 |
| Buffalo | 4 |
| Kensington | 3 |
| Edmond | 1 |
| Jakarta | 1 |
| Sacramento | 1 |
| Taipei | 1 |