統計資料
總造訪次數
| 檢視 | |
|---|---|
| A study of threshold voltage fluctuations of nanoscale double gate metal-oxide-semiconductor field effect transistors using quantum correction simulation | 116 |
本月總瀏覽
| 六月 2025 | 七月 2025 | 八月 2025 | 九月 2025 | 十月 2025 | 十一月 2025 | 十二月 2025 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| A study of threshold voltage fluctuations of nanoscale double gate metal-oxide-semiconductor field effect transistors using quantum correction simulation | 0 | 0 | 0 | 1 | 1 | 1 | 0 |
檔案下載
| 檢視 |
|---|
國家瀏覽排行
| 檢視 | |
|---|---|
| 中國 | 99 |
| 美國 | 13 |
| 巴西 | 1 |
| 俄羅斯聯邦 | 1 |
| 台灣 | 1 |
縣市瀏覽排行
| 檢視 | |
|---|---|
| Shenzhen | 97 |
| Menlo Park | 8 |
| Kensington | 3 |
| Beijing | 2 |
| Kirksville | 1 |
| Tomsk | 1 |