統計資料
總造訪次數
| 檢視 | |
|---|---|
| An AlGaAs/InGaAs HEMT Grown on Si Substrate with Ge/GexSi1-x Metamorphic Buffer Layers | 127 |
本月總瀏覽
| 七月 2025 | 八月 2025 | 九月 2025 | 十月 2025 | 十一月 2025 | 十二月 2025 | 一月 2026 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| An AlGaAs/InGaAs HEMT Grown on Si Substrate with Ge/GexSi1-x Metamorphic Buffer Layers | 0 | 0 | 1 | 2 | 2 | 1 | 0 |
檔案下載
| 檢視 |
|---|
國家瀏覽排行
| 檢視 | |
|---|---|
| 中國 | 100 |
| 美國 | 17 |
| 台灣 | 6 |
| 愛爾蘭 | 1 |
縣市瀏覽排行
| 檢視 | |
|---|---|
| Shenzhen | 95 |
| Menlo Park | 10 |
| Edmond | 4 |
| Kaohsiung | 4 |
| Shanghai | 4 |
| Kensington | 2 |
| Beijing | 1 |
| Taipei | 1 |
| University Park | 1 |