統計資料

總造訪次數

檢視
Suppression of boron penetration in P+-poly-SiGe gate p-channel metal-oxide-semiconductor field-effect transistor using NH3-nitrided and N2O-grown gate oxides 108

本月總瀏覽

檔案下載

檢視
000225582000020.pdf 6

國家瀏覽排行

檢視
中國 96
美國 11
台灣 1

縣市瀏覽排行

檢視
Shenzhen 96
Menlo Park 7
Kensington 3
Edmond 1
Taipei 1