統計資料
總造訪次數
| 檢視 | |
|---|---|
| Efficient improvement of hot carrier-induced degradation for 0.1-mu m indium-halo nMOSFET | 108 |
本月總瀏覽
| 六月 2025 | 七月 2025 | 八月 2025 | 九月 2025 | 十月 2025 | 十一月 2025 | 十二月 2025 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Efficient improvement of hot carrier-induced degradation for 0.1-mu m indium-halo nMOSFET | 0 | 0 | 0 | 1 | 0 | 0 | 1 |
檔案下載
| 檢視 | |
|---|---|
| 000220458000019.pdf | 5 |
國家瀏覽排行
| 檢視 | |
|---|---|
| 中國 | 97 |
| 美國 | 8 |
| 愛爾蘭 | 1 |
縣市瀏覽排行
| 檢視 | |
|---|---|
| Shenzhen | 97 |
| Menlo Park | 4 |
| Kensington | 3 |
| University Park | 1 |