統計資料
總造訪次數
| 檢視 | |
|---|---|
| A BENDING N-WELL BALLAST LAYOUT TO IMPROVE ESD ROBUSTNESS IN FULLY-SILICIDED CMOS TECHNOLOGY | 112 |
本月總瀏覽
| 八月 2025 | 九月 2025 | 十月 2025 | 十一月 2025 | 十二月 2025 | 一月 2026 | 二月 2026 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| A BENDING N-WELL BALLAST LAYOUT TO IMPROVE ESD ROBUSTNESS IN FULLY-SILICIDED CMOS TECHNOLOGY | 0 | 1 | 0 | 0 | 0 | 2 | 1 |
檔案下載
| 檢視 | |
|---|---|
| 000287515600142.pdf | 7 |
國家瀏覽排行
| 檢視 | |
|---|---|
| 中國 | 98 |
| 美國 | 8 |
| 越南 | 2 |
| 愛爾蘭 | 1 |
縣市瀏覽排行
| 檢視 | |
|---|---|
| Shenzhen | 96 |
| Kensington | 4 |
| Menlo Park | 3 |
| Beijing | 2 |
| Ben Tre | 1 |
| Edmond | 1 |
| Hanoi | 1 |