統計資料
總造訪次數
| 檢視 | |
|---|---|
| Novel implantation method to improve machine-model electrostatic discharge robustness of stacked N-channel metal-oxide semiconductors (NMOS) in sub-quarter-micron complementary metal-oxide semiconductors (CMOS) technology | 113 |
本月總瀏覽
| 六月 2024 | 七月 2024 | 八月 2024 | 九月 2024 | 十月 2024 | 十一月 2024 | 十二月 2024 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Novel implantation method to improve machine-model electrostatic discharge robustness of stacked N-channel metal-oxide semiconductors (NMOS) in sub-quarter-micron complementary metal-oxide semiconductors (CMOS) technology | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 3 |
檔案下載
| 檢視 | |
|---|---|
| 000182826200004.pdf | 5 |
國家瀏覽排行
| 檢視 | |
|---|---|
| 中國 | 96 |
| 美國 | 12 |
| 台灣 | 2 |
| 澳大利亞 | 1 |
| 印度 | 1 |
| 蒙古 | 1 |
縣市瀏覽排行
| 檢視 | |
|---|---|
| Shenzhen | 96 |
| Menlo Park | 9 |
| Kensington | 3 |
| Port Melbourne | 1 |
| Taipei | 1 |
| Ulaanbaatar | 1 |