統計資料
總造訪次數
| 檢視 | |
|---|---|
| Improving the electrical integrity of Cu-CoSi2 contacted n(+)p junction diodes using nitrogen-incorporated Ta films as a diffusion barrier | 113 |
本月總瀏覽
| 六月 2025 | 七月 2025 | 八月 2025 | 九月 2025 | 十月 2025 | 十一月 2025 | 十二月 2025 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Improving the electrical integrity of Cu-CoSi2 contacted n(+)p junction diodes using nitrogen-incorporated Ta films as a diffusion barrier | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 2 | 0 |
檔案下載
| 檢視 | |
|---|---|
| 000179694200014.pdf | 4 |
國家瀏覽排行
| 檢視 | |
|---|---|
| 中國 | 99 |
| 美國 | 12 |
| 印度 | 1 |
縣市瀏覽排行
| 檢視 | |
|---|---|
| Shenzhen | 98 |
| Kensington | 8 |
| Menlo Park | 3 |
| Beijing | 1 |
| Los Angeles | 1 |