統計資料
總造訪次數
| 檢視 | |
|---|---|
| Edge hole direct Tunneling leakage in ultrathin gate oxide p-channel MOSFETs | 116 |
本月總瀏覽
| 八月 2025 | 九月 2025 | 十月 2025 | 十一月 2025 | 十二月 2025 | 一月 2026 | 二月 2026 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Edge hole direct Tunneling leakage in ultrathin gate oxide p-channel MOSFETs | 0 | 0 | 0 | 1 | 2 | 1 | 1 |
檔案下載
| 檢視 | |
|---|---|
| 000173259700020.pdf | 6 |
國家瀏覽排行
| 檢視 | |
|---|---|
| 中國 | 100 |
| 美國 | 14 |
| 越南 | 1 |
縣市瀏覽排行
| 檢視 | |
|---|---|
| Shenzhen | 98 |
| Kensington | 8 |
| Menlo Park | 4 |
| Buffalo | 2 |
| Shanghai | 1 |
| Soc Trang | 1 |
| Zhengzhou | 1 |