統計資料
總造訪次數
| 檢視 | |
|---|---|
| Nanosized metal grains induced electrical characteristic fluctuation in 16-nm-gate high-kappa/metal gate bulk FinFET devices | 111 |
本月總瀏覽
| 九月 2025 | 十月 2025 | 十一月 2025 | 十二月 2025 | 一月 2026 | 二月 2026 | 三月 2026 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Nanosized metal grains induced electrical characteristic fluctuation in 16-nm-gate high-kappa/metal gate bulk FinFET devices | 0 | 1 | 1 | 1 | 0 | 2 | 0 |
檔案下載
| 檢視 | |
|---|---|
| 000292572700050.pdf | 13 |
國家瀏覽排行
| 檢視 | |
|---|---|
| 中國 | 98 |
| 美國 | 10 |
| 日本 | 2 |
縣市瀏覽排行
| 檢視 | |
|---|---|
| Shenzhen | 98 |
| Menlo Park | 5 |
| Kensington | 3 |
| Buffalo | 2 |