統計資料
總造訪次數
| 檢視 | |
|---|---|
| Electrical properties of multiple high-dose Si implantation in p-GaN | 116 |
本月總瀏覽
| 七月 2025 | 八月 2025 | 九月 2025 | 十月 2025 | 十一月 2025 | 十二月 2025 | 一月 2026 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Electrical properties of multiple high-dose Si implantation in p-GaN | 0 | 1 | 1 | 0 | 2 | 1 | 6 |
檔案下載
| 檢視 | |
|---|---|
| 000083277600005.pdf | 12 |
國家瀏覽排行
| 檢視 | |
|---|---|
| 中國 | 98 |
| 美國 | 12 |
| 加拿大 | 1 |
| 愛爾蘭 | 1 |
縣市瀏覽排行
| 檢視 | |
|---|---|
| Shenzhen | 97 |
| Menlo Park | 5 |
| Buffalo | 2 |
| Dallas | 1 |
| Edmond | 1 |
| Los Angeles | 1 |
| Nanning | 1 |
| San Jose | 1 |
| Zurich | 1 |